三星携手美企SiliconFrontlineTechnology改善3纳

发布时间：2022-11-21 10:13 内容来源：IT之家责任编辑：李陈默阅读量：5404

援引韩媒Naver报道，三星已经与美国Silicon Frontline Technology公司合作，在生产工艺上提高其半导体芯片的良率，以便在3 nm工艺上赶上TSMC。

报道称，三星电子先进工艺的良品率很低从5 nm工艺开始，就存在成品率的问题，在4 nm和3 nm工艺中情况变得更糟据说三星3 nm溶液工艺量产以来，良品率没有超过20%，量产进度陷入瓶颈

目前，三星在4nm和5nm工艺的节点上出现了与输出相关的问题，公司不希望这个问题在3nm工艺上再次出现因此，我们希望与硅前线技术公司合作，帮助三星晶圆厂提升前端技术和芯片性能

本站了解到，这家美国公司提供芯片识别评估和防ESD技术ESD是造成半导体芯片缺陷的主要原因之一，它是由制造过程中设备与金属之间的摩擦引起的根据消息显示，三星在芯片设计和生产过程中与Silicon Frontline进行了长期合作，并取得了令人满意的结果该公司现在将在芯片验证过程中使用其技术

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