电子元器件行业深度报告：“海通通信”碳化硅冉冉升起的第三代半导体

碳化硅性能优异，代表先进生产力第三代半导体材料是指以碳化硅，氮化镓为代表的宽带隙半导体材料，具有击穿电场高，热导率高，电子饱和率高，抗辐射能力强等优点因此，由第三代半导体材料制成的半导体器件不仅可以在较高的温度下稳定工作，还可以适用于高电压，高频率的场景，并且可以用较少的功耗获得较高的工作能力

基板为核心，技术瓶颈逐步突破它是衬底碳化硅产业链的核心，一直供不应求，行业普遍在快速扩产根据田玉娥高级招股书引用的CASA Research，2019年，六家国际巨头宣布了12个扩张项目衬底的生长方法主要有物理气相传输，高温化学气相沉积等目前晶体制备最主要的难点在于生长条件苛刻，但生长速度很慢此外，制备良率也是业内普遍的难点之一SiC成品率低主要有两个原因:生长出来的晶锭存在缺陷，切割过程中存在损耗

海外领先，国内赶超目前碳化硅衬底市场由海外厂商主导，国内企业市场份额较小在半绝缘市场，Erlu公司，Wolfspeed和田玉娥先进占据主要份额，在导电市场，柯睿是绝对的领导者

下游需求旺盛，空间+渗透率翻倍基于碳化硅的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备，外延层的生长，器件制造和下游应用市场碳化硅衬底主要分为半绝缘型和导电型在半绝缘领域，氮化镓射频器件正在通信宏基站，雷达和其他宽带应用中取代LDMOS根据田玉娥高级招股书中引用的Yole，全球氮化镓射频器件市场预计将从2019年的7.4亿美元增长到2025年的20亿美元，年均复合增长率为18%

在导电领域，新能源汽车的快速增长将成为碳化硅行业近期增长的引擎。

投资建议:关注田玉娥先进和中瓷电子。

风险:产能扩张不及预期，行业景气不及预期风险，技术研发风险。